气体在半导体外延中起到的作用

外延生长实际上主要是一个化学反应过程。硅外延生长使用的主要气源是氢气和氯硅烷类，如四氯化硅（SiCl4）、三氯甲硅烷（SiHCl3）和二氯甲硅烷（SiH2Cl2）。另外，为了降低生长温度，也经常使用硅烷作为气源。选择使用哪种气源主要由生长条件和外延层的规格来决定的，其中生长温度是选择气源种类时要考虑的重要因素。硅外延层生长速度和生长温度的关系。

照明行业常用的电光源主要分类为：1、热致发光电光源（如白炽灯、卤钨灯等），电光源内的填充气体主要有氩气、氪气、氙气、氮气、氢气、溴甲烷等卤素气等组成的混合气；2、气体放电发光电光源（如氙灯、碳弧灯、荧光灯、汞灯、钠灯、金属卤化物灯等，填充气有氙气、氘气、氪气同位素等气体组成的混合气体）；3、固体发光电光源（如LED和场致发光器件等，没有使用填充气体）