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气体在半导体外延中起到的作用


外延生长实际上主要是一个化学反应过程。硅外延生长使用的主要气源是氢气和氯硅烷类，如四氯化硅（SiCl4）、三氯甲硅烷（SiHCl3）和二氯甲硅烷（SiH2Cl2）。另外，为了降低生长温度，也经常使用硅烷作为气源。选择使用哪种气源主要由生长条件和外延层的规格来决定的，其中生长温度是选择气源种类时要考虑的重要因素。硅外延层生长速度和生长温度的关系。

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一、隔绝氧气，防止食品成分氧化变质；
　　二、预制部分微生物生长；
　　三、增加包装的强度，产品不容易被挤压破坏。
　　空气主要由氮气和氧气组成，其中氮气占到78.08%，氧气占21%。空气中的氮气被提取之后，经过高压或低温方式即可成为液氮。
氮气可根据纯度分为纯氮气、食品级氮气和工业级氮气。纯氮气的纯度一般可高达99.99%；食品级的氮气纯度99.9%以上；工业级的氮气纯度为99.2%以上。
企业名称含义：贝斯特即英文“best”的音译，含义为：要做就做好。
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