气体在半导体外延中起到的作用

外延生长实际上主要是一个化学反应过程。硅外延生长使用的主要气源是氢气和氯硅烷类，如四氯化硅（SiCl4）、三氯甲硅烷（SiHCl3）和二氯甲硅烷（SiH2Cl2）。另外，为了降低生长温度，也经常使用硅烷作为气源。选择使用哪种气源主要由生长条件和外延层的规格来决定的，其中生长温度是选择气源种类时要考虑的重要因素。硅外延层生长速度和生长温度的关系。

氙气是惰性气体中原子序数较大的元素，稀有气体，无色、无臭、无味，密度5.887千克/立方米，熔点-111.9℃，沸点-107.1±3℃，20℃时每升水中可溶解110.9毫升，用于闪光管、闪光灯充气，以及作深度麻醉剂。氙气是一种无色无味的气体，可以在通电时发出特强的白光，例如：人造小太阳和广场照明。