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气体在半导体外延中起到的作用


外延生长实际上主要是一个化学反应过程。硅外延生长使用的主要气源是氢气和氯硅烷类,如四氯化硅(SiCl4)、三氯甲硅烷(SiHCl3)和二氯甲硅烷(SiH2Cl2)。另外,为了降低生长温度,也经常使用硅烷作为气源。选择使用哪种气源主要由生长条件和外延层的规格来决定的,其中生长温度是选择气源种类时要考虑的最重要因素。硅外延层生长速度和生长温度的关系。

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贝斯特气体主要气体有环境监测标准气、石油化工标准气、仪器仪表标准气、研制生产的标准气体已取得国家制造计量器具许可证CMC证书(国制表标物10001697号)。广泛应用于科研、医疗、环保、石油化工等领域

2L、4L、8L、40L铝合金钢瓶、碳钢瓶等注:凡含SO2、H2S、NO2、NH3等具有腐蚀性和反应活性气体组份标准气都采用特殊处理气瓶贮存,并统一采用不锈钢瓶阀;
企业名称含义:贝斯特即英文“best”的音译,含义为:要做就做最好。
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