气体在半导体外延中起到的作用

外延生长实际上主要是一个化学反应过程。硅外延生长使用的主要气源是氢气和氯硅烷类，如四氯化硅（SiCl4）、三氯甲硅烷（SiHCl3）和二氯甲硅烷（SiH2Cl2）。另外，为了降低生长温度，也经常使用硅烷作为气源。选择使用哪种气源主要由生长条件和外延层的规格来决定的，其中生长温度是选择气源种类时要考虑的重要因素。硅外延层生长速度和生长温度的关系。

氪气是稀有气体，无色、无味、无毒、惰性，氪气集中存在于大气中。在大气中占有1.1ppm。沸点-153.35℃，大气中氪的含量极低（痕量，按体积计为1.14×10-6）。不能燃烧，也不助燃。能吸收X射线。气体相对密度3.736(-152.9℃），液态相对密度2.155。