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气体在半导体外延中起到的作用


外延生长实际上主要是一个化学反应过程。硅外延生长使用的主要气源是氢气和氯硅烷类,如四氯化硅(SiCl4)、三氯甲硅烷(SiHCl3)和二氯甲硅烷(SiH2Cl2)。另外,为了降低生长温度,也经常使用硅烷作为气源。选择使用哪种气源主要由生长条件和外延层的规格来决定的,其中生长温度是选择气源种类时要考虑的最重要因素。硅外延层生长速度和生长温度的关系。

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99.9995~99.99997

氪气是稀有气体,无色、无味、无毒、惰性,氪气集中存在于大气中。在大气中占有1.1ppm。沸点-153.35℃,大气中氪的含量极低(痕量,按体积计为1.14×10-6)。不能燃烧,也不助燃。能吸收X射线。气体相对密度3.736(-152.9℃),液态相对密度2.155。

包装物尺寸:8L/12L/47L/470L/(另接受定制)
CAS:7439-90-9
HS:2804290000
阀门型号:CGA580

DISS716
    广泛用于电子工业、电光源工业,还用于气体激光器和等离子流中。用纯氪气充的灯泡与同功率的充氩灯泡相比具有发光率高、体积小、寿命长、省电等优点。大量用于制造矿灯,由于它的透射率特别高,可以用于制造夜战时越野战车的照射灯和飞机跑道指示灯。医疗卫生方面用来测量脑血流量。其同位素可用作显迹剂。放射性氪可用于密闭容器的检漏和材料厚度的连续测定,还可制成不需电能的原子灯。
企业名称含义:贝斯特即英文“best”的音译,含义为:要做就做最好。
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