气体在半导体外延中起到的作用

外延生长实际上主要是一个化学反应过程。硅外延生长使用的主要气源是氢气和氯硅烷类，如四氯化硅（SiCl4）、三氯甲硅烷（SiHCl3）和二氯甲硅烷（SiH2Cl2）。另外，为了降低生长温度，也经常使用硅烷作为气源。选择使用哪种气源主要由生长条件和外延层的规格来决定的，其中生长温度是选择气源种类时要考虑的重要因素。硅外延层生长速度和生长温度的关系。

超纯氨是微电子氮化硅掩蔽膜的主要原材料，其反应为：750—850℃ ：SiH4+NH3---Si3N4+H2+N2 ，850—900℃ ：3SiCl4+4NH3---Si3N4+12HCl。虽然NH3在半导体制造用量不大，但在光电子领域、超纯氨是十分重要的原材料