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气体在半导体外延中起到的作用
外延生长实际上主要是一个化学反应过程。硅外延生长使用的主要气源是氢气和氯硅烷类，如四氯化硅（SiCl4）、三氯甲硅烷（SiHCl3）和二氯甲硅烷（SiH2Cl2）。另外，为了降低生长温度，也经常使用硅烷作为气源。选择使用哪种气源主要由生长条件和外延层的规格来决定的，其中生长温度是选择气源种类时要考虑的重要因素。硅外延层生长速度和生长温度的关系。
99~99.999%
氩气是无色、无味、单原子的惰性气体，原子量为39．948，密度为 1．78kg／m3（空气密度为 1．29kg／m 3）。氩气的重量是空气的1．4倍，可在熔池上方形成一层稳定的气流层，具有良好的保护性能。另外在焊接过程中，产生的烟雾较少，便于控制焊接熔池和电弧。
CAS:7782-44-7
包装物尺寸：8L/12L/47L/470L/（另接受定制）
阀门型号：CGA-580
2804210000
企业名称含义：贝斯特即英文“best”的音译，含义为：要做就做好。
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